（）内部空穴数量多于自由电子数量。

单项选择题以下关于扩散电流的描述中，错误的是（）

A.由浓度差引起的载流子的定向运动而产生
B.是半导体特有的一种电流
C.半导体处于热平衡状态时不存在
D.浓度梯度越小，扩散电流越大

单项选择题以下关于漂移电流的描述中，错误的是（）

A.是在外电场作用下产生的载流子的定向运动
B.是半导体特有的电流
C.迁移率越高，漂移电流越大
D.电导率越高，漂移电流越大

单项选择题半导体器件受温度影响较大的主要原因是（）

A.多子浓度对温度敏感
B.少子浓度对温度敏感
C.多子浓度对掺杂敏感
D.少子浓度对掺杂敏感

单项选择题杂质半导体中，温度升高，多子浓度（），少子浓度（）

A.显著增加，显著增加
B.近似不变，显著增加
C.近似不变，近似不变
D.显著减少，近似不变

单项选择题杂质半导体中，掺杂越多，多子（），少子（）

A.越多，越多
B.越多，不变
C.越多，越少
D.越少，越少