A.截止状态B.饱和或截止状态C.放大状态D.饱和状态
单项选择题对增强型MOS管,只有在栅源电压绝对值大于()后,才会形成导电沟道。
A.导通电压绝对值B.开启电压绝对值C.死区电压D.夹断电压绝对值
单项选择题晶体管处于饱和状态时,要求()。
A.发射结正偏,集电结反偏。B.发射结反偏,集电结正偏。C.发射结反偏,集电结反偏。D.发射结正偏,集电结正偏。
单项选择题某NPN管电路中,测得BE之间的电压为0V,BC之间电压为-2V,则可知该晶体管工作于()状态。
A.放大B.饱和C.截止D.不能确定
单项选择题分析下图所示交流通路,设其直流通路合理,则所述正确的是()。
A.构成电感三点式振荡电路B.构成电容三点式振荡电路,将其中的电感用石英晶体代替,则组成并联型晶体振荡电路C.不能产生正弦波D.构成电容三点式振荡电路,将其中的电感用石英晶体代替,则组成串联型晶体振荡电路
单项选择题图示电路的电压放大倍数是()。
A.3B.4C.-4D.-3