半导体晶体一个重要的特性就是（）。因此，制造不同类型的器件通常需要选择（）的晶向。

单项选择题（）是一种电压控制型器件，（）载流子参与导电

A.MOS管，2
B.MOS管，1
C.三极管，1
D.三极管，2

单项选择题理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小，阈值电压（）

A.越大
B.越小
C.不变
D.不一定

单项选择题已知NMOS管的阈值电压是1.5V，工作时漏源电压为3V，栅源电压为5.5，则该MOS管的状态是（）

A.非饱和
B.截止
C.饱和
D.不能判断

单项选择题增强型NMOS的阈值电压（）0，且当VGS（）VT时，MOS管才导通

A.大于，小于
B.大于，大于
C.小于，大于
D.小于，小于

单项选择题以下关于MOS管说法正确的是（）

A.衬底偏置效应会导致阈值电压变大
B.MOS管是电流控制型器件
C.MOS管工作时电子和空穴都参与导电
D.温度上升会使导电因子变大