国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）

多项选择题高频光电导衰退法的优点主要有（）

A.样品较少受到污染
B.测量时不必制作欧姆电极
C.样品无需切割成一定的几何形状
D.应用广泛

多项选择题高频光电导衰退法的缺点主要有（）

A.仪器线路比较复杂
B.依靠电容耦合
C.干扰比较大
D.测试方法比较简单

多项选择题测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（）方面。

A.控制氙灯的闪光电压
B.加滤光片
C.加热硅单晶
D.加光阑

多项选择题半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。

A.晶体管的放大倍数
B.开关管的开关时间
C.太阳能电池的光电转换效率
D.太阳能电池的填充因子

多项选择题半导体晶体缺陷主要包括（）

A.微观缺陷
B.宏观缺陷
C.表面机械损伤
D.点阵应变