一维紧束缚模型下，E（k）=ε_i-J₀-2J₁cos（ka），能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为（）

单项选择题关于空穴的性质以下说法错误的是（）

A.只有半导体中有空穴
B.波矢为k空穴的准经典运动速度为波矢为k的电子的准经典运动速度v（k）
C.空穴有效质量为正值
D.空穴可以描述近满带的导电性

单项选择题一维紧束缚模型下，E（k）=εi-J0-2J1cos（ka），准经典运动速度为正的极大值时对应的第一布里渊区的波矢为（）

A.k=0
B.k=π/a
C.k=-π/2a
D.k=π/2a

单项选择题‎关于能带中电子准经典运动速度的说法哪个是错误的？（）

A.E（k）对k的二阶导数为零的k点对应着准经典运动速度为零
B.在外加恒定电场下，如果不考虑晶格散射和杂质散射，电子将在第一布里渊区往返做振荡，称为布洛赫振荡
C.根据能带的对称性E（k）=E（-k），得出准经典运动速度v（k）=-v（-k）
D.在能带顶或者能带底，电子的准经典运动速度为0

单项选择题能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为（）

A.正值，正值
B.正值，负值
C.负值，负值
D.负值，正值

单项选择题对近自由电子近似的简并微扰论，当波矢k落在三个布里渊区交界上时，问波函数可近似由几个平面波来构成？（）

A.1
B.2
C.3
D.4