通常根据产生过饱和度的方式不同，将结晶方法与结晶设备分为（）等。

多项选择题晶体中总是难免有杂质夹带在其中，杂质产生的原因主要包括（）。

A.某些杂质与产物的溶解度相近，产生共结晶现象
B.有些杂质会被结合到产品的晶格中
C.因洗涤不完全，而使晶体上带有母液和杂质
D.由于吸附作用，杂质和晶体结合

多项选择题在工业生产实际中，当过饱和度增大时，溶液黏度增高，杂质含量也增大，可能会出现如下问题（）。

A.成核速率过快，使晶体细小
B.结晶生长速率过快，容易在晶体表面产生液泡，影响结晶质量
C.结晶器壁易产生晶垢，给结晶操作带来困难
D.产品纯度降低

多项选择题有利于晶体的生长的条件有（）

A.过饱和度增大
B.搅拌速度提高
C.温度升高
D.过饱和度减小

多项选择题活性炭在（）中进行脱色效果最好。

A.烃类溶剂
B.水溶液中
C.极性溶剂
D.非极性溶剂

多项选择题影响二次成核的主要因素有（）。

A.过饱和度
B.碰撞能量
C.搅拌桨材质
D.搅拌速度