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问答题

氮化镓GaN是制备白光二极管的材料,其晶体结构为纤锌矿(六方硫化锌)型。N的电负性为3.07,Ga的电负性为1.76;N3-的离子半径为0.148mm,Ca3+的离子半径为0.047nm。
分析Ga和N之间的键性,说明结构中各离子配位数是否合理。

【参考答案】

Ga和N之间的键性由电负性差值决定
△x=3.07-1.76=1.31<1.7,GaN为共价键
配位数由正负离子半径比决定
R+/R-=0.047/0.148=0.318
0.225<R+/R-<0.414
CN(Ga3+)=4,CN(N3-)=4,配位数合理。