氮化镓GaN是制备白光二极管的材料,其晶体结构为纤锌矿(六方硫化锌)型。N的电负性为3.07,Ga的电负性为1.76;N3-的离子半径为0.148mm,Ca3+的离子半径为0.047nm。
如图7-3所示。
问答题分别画出立方晶胞的[2 overline{1}1]晶向和(021)晶面,六方晶胞的[10 overline{1}0]晶向和[1 overline{2}12]晶面。
问答题何谓全位错?请说明在面心立方晶体中肖克莱不全位错和弗兰克不全位错的成因和运动特点。
问答题氧化钛缺氧时可产生如下反应:[*],请正确写出缺陷方程并解释各项的含义。
问答题比较说明滑移与孪生这两种金属塑性变形机制的不同。
问答题说明通过马氏体相变产生形状记忆效应的原因。
问答题已知工业纯铜的屈服强度σs=70MPa,其晶粒大小为NA=18个 mm2;当NA=4025个 mm2时,σs=95MPa;试计算NA=260个 mm2时屈服强度σs的值。
问答题什么是形状记忆效应
问答题实际应用过程中,为消除时效强化可采用什么处理方法为什么
问答题影响晶态固体中原子扩散的因素有哪些并加以简单说明。
问答题说明通过时效处理产生强化的原因。