A.增大 B.减小 C.不变 D.先增大后减小
单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压()
A.大于零 B.等于零 C.大于0.7V D.小于零
单项选择题双极型晶体管有()
A.二个pn结 B.一个pn结 C.三个pn结 D.没有pn结
单项选择题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()
A.复合电流 B.漂移电流 C.扩散电流 D.漏电流
单项选择题通常把服从费米分布的半导体称为()
A.简并半导体 B.非简并半导体 C.杂质半导体 D.化合物半导体
单项选择题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用,通常称为()
A.杂质电离B.杂质补偿C.载流子复合D.载流子迁移