A.增大B.减小C.不变D.先减小后增大在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（……

单项选择题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小

单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）

A.大于零
B.等于零
C.大于0.7V
D.小于零

单项选择题双极型晶体管有（）

A.二个pn结
B.一个pn结
C.三个pn结
D.没有pn结

单项选择题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A.复合电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.漏电流

单项选择题通常把服从费米分布的半导体称为（）

A.简并半导体
B.非简并半导体
C.杂质半导体
D.化合物半导体