A.增大B.减小C.不变D.先减小后增大在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（……

单项选择题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小

单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）

A.大于零
B.等于零
C.大于0.7V
D.小于零

单项选择题双极型晶体管有（）

A.二个pn结
B.一个pn结
C.三个pn结
D.没有pn结

单项选择题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A.复合电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.漏电流

单项选择题通常把服从费米分布的半导体称为（）

A.简并半导体
B.非简并半导体
C.杂质半导体
D.化合物半导体

单项选择题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）

A.杂质电离
B.杂质补偿
C.载流子复合
D.载流子迁移

单项选择题PCI总线是（）

A.同步并行总线；
B.异步并行总线；
C.同步串行总线；
D.异步串行总线。

单项选择题DDR-SDRAM，SDR-SDRAM的主要区别是DDR-SDRAM（）

A.上升沿触发；
B.下降沿出发；
C.双沿触发；
D.低电平触发。

单项选择题下列存储器中，（）是NonVolatile（非易失）存储器。

A.SRAM
B.DRAM
C.FLASH
D.SBSRAM

单项选择题冯.诺依曼结构：也称（）结构，是一种将程序指令存储器和数据存储器（）的存储器结构。

A.普林斯顿，合并
B.普林斯顿，分离
C.哈佛，合并
D.哈佛，分离

单项选择题1965年，Gordon Moore提出了著名的摩尔定律，指出：每三年晶体管的集成数目就会翻（）番。

A.1
B.2
C.3
D.4

单项选择题下列哪个处理器不属于VLIW结构（）

A.TI公司的TMS320C6201；
B.philips公司的TriMedia；
C.equator公司的BSP-15；
D.intel公司的pentium。

单项选择题控制相关是程序中普遍存在的现象，单独由静态的软件方法不能很好的解决控制相关，（）能够为编译器提供很有效的硬件支持，将控制相关转换为数据相关。

A.路径调度；
B.超级块调度；
C.条件指令；
D.全局指令调度。

单项选择题下面是一段MIPS指令，完成内存中取数、相加、和存储的操作： 指令（1）和指令（3）之间存在（）；指令（1）与指令（2）之间可能会产生（）

A.名字相关；写读冲突；
B.名字相关；读写冲突；
C.数据相关；写读冲突；
D.数据相关；读写冲突。

单项选择题下列关于Latch up效应说法不正确的是（）

A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。
B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。
C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。
D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。