A.自由层磁矩方向不受外磁场控制B.多采用磁控溅射工艺制备C.GMR磁头是自旋阀结构D.是固定铁磁层/导电间隔层/自由铁磁层/反铁磁钉扎层多层膜
多项选择题对于GaN InGaN GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确?()
A.LED光谱较窄B.激光器发射功率较低C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱D.LED没有谐振腔而激光器有
多项选择题下图是一P型单臂CNT FET,下列哪种说法正确?()
A.这是底栅CNT FETB.金属钯(Pd)的功函数小于CNT的功函数C.CNT是FET的导电沟道D.CNT中的载流子是弹道传输
多项选择题从下面选出产生单电子效应的两个必备条件:()
A.Ec=kBTB.RT>>RkC.Ec>>kBTD.RT< Rk
多项选择题关于自组装,下列哪种说法正确?()
A.人的作用设计产物并启动过程B.自组装的驱动力不含重力等长程力C.不是热力学平衡的体系,且能量较高D.自组装的驱动力包括氢键、范德瓦尔斯力等短程力
多项选择题关于湿法刻蚀和干法刻蚀,下列哪种说法正确?()
A.湿法比干法的选择性好B.干法比湿法的保真度好C.干法比湿法的图形分辨率低D.湿法比干法的设备更复杂