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多项选择题

A.LED光谱较窄B.激光器发射功率较低C.可采用MOCVD工艺来制备GaN InGaN GaN量子阱D.LE……

‌对于GaN/InGaN/GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确?()

A.LED光谱较窄
B.激光器发射功率较低
C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱
D.LED没有谐振腔而激光器有