A.没有破坏性相变B.较低的蒸气压C.同成分熔化D.纯元素适合熔体生长可以获得高质量单晶体的理想材料应具有（）……

多项选择题关于光滑界面与粗糙界面，下列说法正确的有（）

A.光滑界面是以不连续的方式生长。
B.光滑界面的生长又称为侧向生长。
C.粗糙界面的生长能连续地生长
D.粗糙界面的生长又称为层状生长

单项选择题完全光滑界面的生长是通过（）而进行的。

A.台阶的产生
B.扭折的产生
C.台阶的运动
D.扭折的运动

多项选择题晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。

A.形成
B.孵化
C.生长
D.团聚

多项选择题降温法生长关键控制技术包括（）等。

A.精确控制降温速率
B.合理的供热方式和搅拌程序
C.轻放轻取不引入应力
D.选择合理的生长速率

单项选择题气相生长晶体的关键是（）

A.严格选择和控制生长条件
B.温场的合理设计
C.仪器控制灵敏
D.外界环境振动干扰较少