①在工艺设计上，采用加埋层的方法以减小rcs，在满足工作电压要求情况下减小外延层电阻率和厚度，采用深N+集电极接触扩散以减小rcs。 ②在版图设计上，电极顺序采用BEC排列来减小LEC，以减小rc2 ，采用双集电极或马蹄形集电极图形减小rc2，但芯片面积及寄生电容增大了。
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