A.硅光电池可能由于电流过大而烧毁B.电压表电压为零C.电流表电流为零测量硅光电池反向偏压下伏安特性时，如果稳……

多项选择题关于硅光电池的说法哪些是正确的？（）

A.硅光电池是一种半导体光电探测器
B.硅光电池只能探测一定波长范围的光波
C.硅光电池的输出电压随着光照强度的增加会线性增加
D.在较大的光强范围内，硅光电池的短路电流与光强成正比

单项选择题当单个光电池外加负载时，其两端产生的光伏电压为何不会超过0.7伏？（）

A.因为光源的最大光强不能使硅光电池产生更大的光生电压
B.硅光电池材料的禁带宽度决定了其构成PN结时的最大输出电压
C.因为反向偏置电压的存在
D.因为电阻太小

单项选择题在硅光电池没有光照且两端未加电源时，说法正确的是（）。

A.硅光电池内部没有电场
B.硅光电池内部的电场从P区指向N区
C.硅光电池内部的电场从N区指向P区
D.硅光电池两端的开路电压不为零

单项选择题‌热敏电阻应该选用伏安特性曲线的什么部分？（）

A.线性部分
B.转折部分
C.非线性部分

单项选择题‌在光电效应中逸出的电子称为光电子，显示出光什么性质？（）

A.相变性
B.波动性
C.粒子性