A.控制变量法B.等效替代法C.转换测量法D.比较测量法
单项选择题测量硅光电池反向偏压下伏安特性时,如果稳压源接反,哪种说法正确?()
A.硅光电池可能由于电流过大而烧毁B.电压表电压为零C.电流表电流为零
多项选择题关于硅光电池的说法哪些是正确的?()
A.硅光电池是一种半导体光电探测器B.硅光电池只能探测一定波长范围的光波C.硅光电池的输出电压随着光照强度的增加会线性增加D.在较大的光强范围内,硅光电池的短路电流与光强成正比
单项选择题当单个光电池外加负载时,其两端产生的光伏电压为何不会超过0.7伏?()
A.因为光源的最大光强不能使硅光电池产生更大的光生电压B.硅光电池材料的禁带宽度决定了其构成PN结时的最大输出电压C.因为反向偏置电压的存在D.因为电阻太小
单项选择题在硅光电池没有光照且两端未加电源时,说法正确的是()。
A.硅光电池内部没有电场B.硅光电池内部的电场从P区指向N区C.硅光电池内部的电场从N区指向P区D.硅光电池两端的开路电压不为零
单项选择题热敏电阻应该选用伏安特性曲线的什么部分?()
A.线性部分B.转折部分C.非线性部分