A.杂质电离B.杂质补偿C.载流子复合D.载流子迁移施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）……

单项选择题PCI总线是（）

A.同步并行总线；
B.异步并行总线；
C.同步串行总线；
D.异步串行总线。

单项选择题DDR-SDRAM，SDR-SDRAM的主要区别是DDR-SDRAM（）

A.上升沿触发；
B.下降沿出发；
C.双沿触发；
D.低电平触发。

单项选择题下列存储器中，（）是NonVolatile（非易失）存储器。

A.SRAM
B.DRAM
C.FLASH
D.SBSRAM

单项选择题冯.诺依曼结构：也称（）结构，是一种将程序指令存储器和数据存储器（）的存储器结构。

A.普林斯顿，合并
B.普林斯顿，分离
C.哈佛，合并
D.哈佛，分离

单项选择题1965年，Gordon Moore提出了著名的摩尔定律，指出：每三年晶体管的集成数目就会翻（）番。

A.1
B.2
C.3
D.4

单项选择题下列哪个处理器不属于VLIW结构（）

A.TI公司的TMS320C6201；
B.philips公司的TriMedia；
C.equator公司的BSP-15；
D.intel公司的pentium。

单项选择题控制相关是程序中普遍存在的现象，单独由静态的软件方法不能很好的解决控制相关，（）能够为编译器提供很有效的硬件支持，将控制相关转换为数据相关。

A.路径调度；
B.超级块调度；
C.条件指令；
D.全局指令调度。

单项选择题下面是一段MIPS指令，完成内存中取数、相加、和存储的操作： 指令（1）和指令（3）之间存在（）；指令（1）与指令（2）之间可能会产生（）

A.名字相关；写读冲突；
B.名字相关；读写冲突；
C.数据相关；写读冲突；
D.数据相关；读写冲突。

单项选择题下列关于Latch up效应说法不正确的是（）

A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。
B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。
C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。
D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。

单项选择题下列工具是布局布线工具（）

A.Design Compiler
B.Allegro
C.Virtuoso
D.Dracula
E.SoC Encounter

单项选择题下列工具是综合工具的是（）

A.Design Compiler
B.Allegro
C.Virtuoso
D.Dracula

单项选择题关于Stick Diagram，下列说法正确的是（）

A.Stick Diagram包括了所有版图的信息。
B.Stick Diagram的信息是不完整的，因此它对于版图没有任何帮助。
C.Stick Diagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。
D.Stick Diagram没有层次的概念。

单项选择题一般地，在同一个制程中，下列集成电容，单位面积电容最小的是（）

A.Metal1-to-Metal2
B.Metal1-to-Poly2
C.Poly1-to-bulk
D.Poly2-to-Poly1

单项选择题在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻（Sheet Resistance）最大的是（）

A.扩散电阻
B.井电阻
C.多晶硅电阻
D.铝层连线电阻

单项选择题假设对文件file有操作权限，使file对所有人开放写权限的命令为（）

A.%chmoda+wfile
B.%chmodu+wfile
C.%chmoda+rfile
D.%chmodu+rfile