单项选择题

下列关于Latch up效应说法不正确的是（）

A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。
B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。
C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。
D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。

<上一题目录下一题>

热门试题

单项选择题下列工具是布局布线工具（）

A.Design Compiler
B.Allegro
C.Virtuoso
D.Dracula
E.SoC Encounter

单项选择题下列工具是综合工具的是（）

A.Design Compiler
B.Allegro
C.Virtuoso
D.Dracula

单项选择题关于Stick Diagram，下列说法正确的是（）

A.Stick Diagram包括了所有版图的信息。
B.Stick Diagram的信息是不完整的，因此它对于版图没有任何帮助。
C.Stick Diagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。
D.Stick Diagram没有层次的概念。

单项选择题一般地，在同一个制程中，下列集成电容，单位面积电容最小的是（）

A.Metal1-to-Metal2
B.Metal1-to-Poly2
C.Poly1-to-bulk
D.Poly2-to-Poly1

单项选择题在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻（Sheet Resistance）最大的是（）

A.扩散电阻
B.井电阻
C.多晶硅电阻
D.铝层连线电阻