A.衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。 B.Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。 C.Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。 D.Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
单项选择题下列工具是布局布线工具()
A.Design Compiler B.Allegro C.Virtuoso D.Dracula E.SoC Encounter
单项选择题下列工具是综合工具的是()
A.Design Compiler B.Allegro C.Virtuoso D.Dracula
单项选择题关于Stick Diagram,下列说法正确的是()
A.Stick Diagram包括了所有版图的信息。 B.Stick Diagram的信息是不完整的,因此它对于版图没有任何帮助。 C.Stick Diagram是版图的抽象表示,它可以帮助高效的画出版图。 D.Stick Diagram没有层次的概念。
单项选择题一般地,在同一个制程中,下列集成电容,单位面积电容最小的是()
A.Metal1-to-Metal2 B.Metal1-to-Poly2 C.Poly1-to-bulk D.Poly2-to-Poly1
单项选择题在一个一般的制程中,下列材料集成电阻,方块电阻(Sheet Resistance)最大的是()
A.扩散电阻 B.井电阻 C.多晶硅电阻 D.铝层连线电阻
单项选择题假设对文件file有操作权限,使file对所有人开放写权限的命令为()
A.%chmoda+wfile B.%chmodu+wfile C.%chmoda+rfile D.%chmodu+rfile
单项选择题Solaris操作系统中,普通用户能在()创建新的目录。
A.别的用户的宿主目录下 B.任何目录下 C.同一组中所有用户的宿主目录下 D.自己的宿主目录下
单项选择题采用cp命令进行文件拷贝过程中,使用什么参数可以提示拷贝的目的目录有相同文件名的文件存在()
A.-a B.-i C.-r D.-b
单项选择题退到根目录的命令为()
A.%cd. B.%cd/ C.%cd~ D.%cd..
单项选择题通配符用于匹配多个字符,[12345]可以和下列那个选项匹配()
A.1 B.12 C.123 D.12345