离子注入的优点： （1）精确控制杂质含量和分布 （2）很好的杂质均匀性 （3）对杂质穿透深度有很好的控制 （4）产生单一离子束 （5）低温工艺 （6）注入的离子能穿透薄膜 （7）无固溶度极限 离子注入的缺点： （1）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤 （2）注入设备的复杂性
问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
问答题什么是结深？
问答题什么是掺杂？例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型？
问答题叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
