问答题叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
问答题描述电子回旋共振(ECR)。
问答题解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
问答题干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?