判断题

扩展位错越宽，畸变能越低。()

【参考答案】

错误

<上一题目录下一题>

热门试题

判断题交滑移可以躲避障碍物，有利于塑性变形。()

判断题固溶体中异类原子间结合力越大，固溶体的有序度(有序的范围和有序程度)越大。()

判断题作用在位错线上的力与位错宽度有关。()

判断题位错塞积是位错与面缺陷间的弹性交互作用。()

判断题按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界。()

判断题位错塞积必然阻碍位错运动。()

判断题溶质原子浓度越高，扩散速度必然较快。()

判断题F－R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力。()

判断题相似的晶体结构可属于不同点阵。()

判断题Fcc晶体中，单位位错的模可以不同。()

判断题不全位错是局部层错的边界。()

判断题只有螺位错才能发生攀移。()

判断题一个柏氏回路只要包含的位错没有变，则无论柏氏回路的大小、形状、位置如何变化，所得的柏氏矢量不变。()

判断题大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高。()

判断题位错源只有Frank－Read这一种类型。()