判断题按界面两侧是否同种介质,可分为晶界和相界。()
判断题位错塞积必然阻碍位错运动。()
判断题溶质原子浓度越高,扩散速度必然较快。()
判断题F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力。()
判断题相似的晶体结构可属于不同点阵。()
判断题Fcc晶体中,单位位错的模可以不同。()
判断题不全位错是局部层错的边界。()
判断题只有螺位错才能发生攀移。()
判断题一个柏氏回路只要包含的位错没有变,则无论柏氏回路的大小、形状、位置如何变化,所得的柏氏矢量不变。()
判断题大角晶界畸变能大于小角晶界,所以大角晶界的晶界能较高。()
判断题位错源只有Frank-Read这一种类型。()
判断题位错线张力的作用是降低体系能量。()
判断题位错引起点阵畸变,因而必然具有应变能。()
判断题位错线附近区域畸变严重,因而不符合连续介质模型的相关假设。()
判断题作用在位错线上的力与外力大小有关。()