问答题

简答题
根据下面的版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：C_ox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm²）。

【参考答案】

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问答题一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源下，试计算每级门的功耗和平均电流，如果金属线的最大电流密度是0.8mA μm，试求电源和地线的宽度？（假定CMOS反相器的负载电容是0.15pF，PN结的反向漏电流是0.2nA）

问答题试画出下图版图的电路原理图。

问答题试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。

问答题试写出图中F1和F2的逻辑表达式。

问答题画出下列版图的电路原理图。

简答题 根据下面的版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm2）。