A.高qVB.低qVC.高q（Vbi-V）D.低q（Vbi-V）外加正向偏压为V时，势垒区中EFn比EFp（）……

单项选择题当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题反向偏置情况下，除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外，还有（）。

A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流

单项选择题不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在势垒区为常数，这样总的电流密度等于J=Jdn（-xp）+Jdp（xn），这样求解电流密度方程就只需在（）区进行。

A.耗尽
B.中性
C.势垒
D.空间电荷

单项选择题在近似条件下，平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将Vbi用（）代替。

A.V_bi-V
B.V_bi+V
C.V-V_bi
D.V+V_bi

单项选择题采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（）成正比。

A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度