A.非饱和B.截止C.饱和D.不能判断已知NMOS管的阈值电压是1.5V，工作时漏源电压为3V，栅源电压为5.……

单项选择题增强型NMOS的阈值电压（）0，且当VGS（）VT时，MOS管才导通

A.大于，小于
B.大于，大于
C.小于，大于
D.小于，小于

单项选择题以下关于MOS管说法正确的是（）

A.衬底偏置效应会导致阈值电压变大
B.MOS管是电流控制型器件
C.MOS管工作时电子和空穴都参与导电
D.温度上升会使导电因子变大

单项选择题以下关于MOS管的说法正确的是（）

A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电
C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

单项选择题关于MOS电容，以下说法正确的是（）

A.MOS电容是固定电容
B.MOS电容就是MOS栅氧化层电容
C.MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的
D.随着栅电压增加，MOS电容会减小

单项选择题已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则（）

A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构
B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构
C.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构
D.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构