A.金属电迁移 B.金属尖刺现象 C.芯片产生超过1A的峰值电流 D.栅氧化层击穿 E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面
单项选择题由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。
A.几伏 B.几十伏 C.几百伏 D.几万伏
单项选择题ESD产生（）种不同的静电总类。
A.1 B.4 C.3 D.2
单项选择题静电释放的英文简述为（）。
A.ESC B.SED C.ESD D.SEM
单项选择题危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。
A.2族金属 B.碱金属 C.合金金属 D.稀有金属
单项选择题悬浮在空气中的颗粒称为（）。
A.悬浮物 B.尘埃 C.污染颗粒 D.浮质
