A.70%B.49%C.30%
判断题直流四探针笔法测量电阻率时，首先将样品测试面进行研磨或喷砂处理，以增大表面复合，减少少数载流子注入的影响。
判断题直流四探针笔法测量电阻率时，假定半导体样品的电阻率是均匀的，并假定它是半无限大的样品。
判断题在位错密度的两种表示方法中，通常采用位错的体密度来表示。
判断题原生晶体中的漩涡缺陷不容易充分显示，尤其是直拉单晶，经过热处理才变得明显化。
判断题无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足小注入条件。
