判断题在位错密度的两种表示方法中，通常采用位错的体密度来表示。
判断题原生晶体中的漩涡缺陷不容易充分显示，尤其是直拉单晶，经过热处理才变得明显化。
判断题无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足小注入条件。
判断题位错是半导体中最主要的缺陷。
判断题可以将小角度晶界看成是层错的排列。
