A.非铁磁层必须是导体B.它产生于铁磁 非铁磁 铁磁交替叠合而成的纳米多层膜结构C.两铁磁层磁矩平行时电阻最大……

单项选择题特征线宽为20nm时，光刻图形的分辨率是（）条 mm。

A.25000
B.24000
C.23000

多项选择题关于自旋阀下列哪种说法正确？（）

A.自由层磁矩方向不受外磁场控制
B.多采用磁控溅射工艺制备
C.GMR磁头是自旋阀结构
D.是固定铁磁层/导电间隔层/自由铁磁层/反铁磁钉扎层多层膜

多项选择题‌对于GaN InGaN GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）

A.LED光谱较窄
B.激光器发射功率较低
C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱
D.LED没有谐振腔而激光器有

多项选择题下图是一P型单臂CNT FET，下列哪种说法正确？（）

A.这是底栅CNT FET
B.金属钯（Pd）的功函数小于CNT的功函数
C.CNT是FET的导电沟道
D.CNT中的载流子是弹道传输

多项选择题‍从下面选出产生单电子效应的两个必备条件：（）

A.Ec=kBT
B.RT>>Rk
C.Ec>>kBT
D.RT< Rk