A.高能球磨法B.溶胶凝胶法C.气体冷凝法D.溅射法‌气相制备方法包括了（）。……

多项选择题‌关于GMR效应下列哪种说法正确？（）

A.非铁磁层必须是导体
B.它产生于铁磁/非铁磁/铁磁交替叠合而成的纳米多层膜结构
C.两铁磁层磁矩平行时电阻最大
D.两铁磁层磁矩反平行时电阻最大

单项选择题特征线宽为20nm时，光刻图形的分辨率是（）条 mm。

A.25000
B.24000
C.23000

多项选择题关于自旋阀下列哪种说法正确？（）

A.自由层磁矩方向不受外磁场控制
B.多采用磁控溅射工艺制备
C.GMR磁头是自旋阀结构
D.是固定铁磁层/导电间隔层/自由铁磁层/反铁磁钉扎层多层膜

多项选择题‌对于GaN InGaN GaN量子阱结构LED和激光器下列哪种说法正确？（）

A.LED光谱较窄
B.激光器发射功率较低
C.可采用MOCVD工艺来制备GaN/InGaN/GaN量子阱
D.LED没有谐振腔而激光器有

多项选择题下图是一P型单臂CNT FET，下列哪种说法正确？（）

A.这是底栅CNT FET
B.金属钯（Pd）的功函数小于CNT的功函数
C.CNT是FET的导电沟道
D.CNT中的载流子是弹道传输