A.正组整流B.正组逆变C.反阻逆变D.反阻整流理想化单相交交变频电路一周的输出电压和电流的波形分为四段，某一……

单项选择题IGBT是下列哪种电力电子器件的英文缩写？（）

A.晶闸管
B.门极可关断晶闸管
C.功率场效应晶体管
D.绝缘栅极双极型晶体管

单项选择题以下电力电子器件中既是全控型器件又是电流驱动型的器件是（）。

A.IGBT ，GTO
B.电力MOSFET ，GTR
C.IGBT ，电力MOSFET
D.GTO ，GTR

单项选择题绝缘栅双极晶体管IGBT是一种（）结构的半导体器件。

A.四层三端
B.三层三端
C.五层三端
D.三层二端

单项选择题有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是（）

A.MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
B.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
C.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。

单项选择题功率晶体管GTR会发生（）现象，会立即导致器件的永久损坏，或工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。

A.一次击穿
B.临界饱和
C.反向截止
D.二次击穿