绝缘栅双极晶体管IGBT是一种（）结构的半导体器件。

单项选择题有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是（）

A.MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
B.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
C.MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。

单项选择题功率晶体管GTR会发生（）现象，会立即导致器件的永久损坏，或工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。

A.一次击穿
B.临界饱和
C.反向截止
D.二次击穿

单项选择题晶闸管门极的控制作用，表述正确的是（）

A.晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。
B.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
C.晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。

单项选择题GTR典型输出特性分为（）

A.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
B.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。
C.典型输出特性分三个区：截止区、线性区和非饱和区。

单项选择题在一个可实现有源逆变的相控变流电路中，控制角α+β等于（）

A.90º
B.150º
C.180º
D.360º