判断题增大VA的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。
判断题防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。
判断题在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。
判断题发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为共发射极直流短路电流放大系数。
判断题PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。
