判断题冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
判断题P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。
判断题MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
判断题当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
判断题一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
