判断题当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
判断题一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
判断题从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
判断题由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因此平面晶体管的β*与1非常接近。
判断题采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。
