优点： A.可生长高蒸汽压、分解压的材料； B.可生长高蒸汽压、分解压的材料，ZnO2，VO2； C.晶体发育好，几何形状完美，质量好。 缺点：设备要求高； 需要优质籽晶；不能直接观察，生长速率慢，周期长（50~30天）。
问答题熔体生长单晶所用坩埚材料遵循哪些原则？
问答题薄膜材料制备中，蒸发源材料选择则是应考虑哪三个原则？
问答题画出功能材料的工艺技术和性能检测关系图。
问答题画出注射成型工艺流程图。
问答题分析手糊制品翘曲和变形的原因是什么？
