判断题与非门中,P管是并联连接的,N管是串联连接的。
判断题反相器单元的P管的宽长比一般为N管的两倍。
判断题全芯片ESD保护结构和其他几种保护相比,ESD保护能力较弱,但是面积较小。
判断题场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系,漏端面积越大其ESD能力越小。
判断题晶闸管整流器ESD保护结构中,PNPN结构内有NPN和PNP之间的负反馈,提供了良好ESD泄流通路,具有明显的ESD保护性能。
判断题每个标准单元内都必须设置衬底接触孔。
判断题标准单元的高度应该由一铝的Pitch来决定。
判断题若要统一网格尺寸,一般采用芯片上尺寸要求最小的那个工艺层上的尺寸。
判断题标准单元中端口的引出只可以用通孔引出。
判断题标准单元的宽度应该是网格间距的整数倍。
判断题同一种工艺中,标准单元的高度应该都相同。
判断题DRC是验证版图与电路图是否匹配。
判断题修改LVS错误时,一般先修改port错误,再修改instance错误。
判断题功能仿真必须要在电路图模式下进行。
判断题CMOS传输门是由一个NMOS管构成的。