场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系，漏端面积越大其ESD能力越小。-找考题网

判断题晶闸管整流器ESD保护结构中，PNPN结构内有NPN和PNP之间的负反馈，提供了良好ESD泄流通路，具有明显的ESD保护性能。

判断题每个标准单元内都必须设置衬底接触孔。

判断题标准单元的高度应该由一铝的Pitch来决定。

判断题若要统一网格尺寸，一般采用芯片上尺寸要求最小的那个工艺层上的尺寸。

判断题标准单元中端口的引出只可以用通孔引出。

判断题标准单元的宽度应该是网格间距的整数倍。

判断题同一种工艺中，标准单元的高度应该都相同。

判断题DRC是验证版图与电路图是否匹配。

判断题修改LVS错误时，一般先修改port错误，再修改instance错误。

判断题功能仿真必须要在电路图模式下进行。

判断题CMOS传输门是由一个NMOS管构成的。

判断题D触发器是双稳态电路，可以存储1位二进制数。

判断题电路符号可以告诉我们电路功能和特性，不能说明内部结构。

判断题添加Pin端口时需要在LSW中选择相应的图层，否则无法正确添加端口。

判断题LVS验证完成后，需在版图设计窗口选择Launch-Dracula Interactive命令后，在新增的LVS菜单中选择Setup命令，并输入完整的LVS验证路径才能查看LVS验证的错误信息。