A.减少晶片长度和回沾位置 B.增加晶片长度和回沾位置 C.增加整平位置 D.减少整平位置
单项选择题沾银凹陷和银层偏薄的处理方式为（）
A.增加晶片长度和第二行程膜厚 B.调整银膏膜厚设定值 C.校准银膏盘原点 D.减小银膏膜厚设定值
单项选择题由于银浆具有流动性，沾银后的产品要保证在（）分钟内进行烘箱烘干。
A.25 B.20 C.15 D.10
