A.提高激光功率B.节省能源C.控制激光的波形D.增加激光频率
单项选择题灯泵激光器电源分为哪两种类型?()
A.连续电源和脉冲电源B.高压电源和低压电源C.直流电源和交流电源D.大功率电源和小功率电源
单项选择题IGBT的通态电压可以通过什么方式降低?()
A.增加源极电流B.增加漏极电流C.导电调制D.增加栅极电压
单项选择题IGBT的内部结构中,哪个区域起到发射极的作用?()
A.源区B.漏区C.亚沟道区D.漏注入区
单项选择题为什么MOSFET的高频率特性有利于激光输出功率稳定?()
A.电流纹波大B.电流纹波小C.电流纹波不变D.电流纹波增大
单项选择题IGBT的频率特性如何?()
A.频率可以做很高B.频率做不高C.频率与MOSFET相当D.频率与GTR相当
单项选择题IGBT适合应用于哪些直流电压的变流系统?()
A.600V以下B.600V及以上C.1200V以下D.1200V及以上
单项选择题对于N沟道MOSFET,多数载流子是什么?()
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子
单项选择题MOSFET中的“源极(Source)”是什么意思?()
A.提供多数载流子的来源B.提供少数载流子的来源C.接受多数载流子的端点D.接受少数载流子的端点
单项选择题功率场效应晶体管MOSFET的工作频率范围是多少?()
A.10kHz以下B.10kHz到100kHzC.100kHz到1MHzD.1MHz以上
单项选择题功率场效应晶体管MOSFET的显著特点是什么?()
A.驱动电路复杂,驱动功率大B.仅由多数载流子导电,无少子存储效应,高频特性好C.工作频率低D.输出电流小
单项选择题功率场效应晶体管MOSFET是一种什么类型的晶体管?()
A.电流控制型B.电压控制型C.电阻控制型D.电容控制型
单项选择题晶闸管是以硅单晶为基本材料的四层三端器件,由四层半导体材料组成,以下哪种电力电子器件不属于晶闸管?()
A.单向晶闸管B.双向晶闸管C.可关断晶闸管D.IGBT
单项选择题晶闸管可以作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备,其控制的是哪种电流?()
A.毫安级电流B.微安级电流C.安培级电流D.千安级电流
单项选择题混合型器件是指双极型与单极型器件的集成混合,以下哪种器件属于混合型器件?()
A.场控晶体管MOSFETB.绝缘栅极双极晶体管IGBTC.双向晶闸管D.快恢复二极管
单项选择题单极型器件是指器件内只有一种载流子,以下哪种器件属于单极型器件?()