IGBT的通态电压可以通过什么方式降低？（）

单项选择题IGBT的内部结构中，哪个区域起到发射极的作用？（）

A.源区
B.漏区
C.亚沟道区
D.漏注入区

单项选择题为什么MOSFET的高频率特性有利于激光输出功率稳定？（）

A.电流纹波大
B.电流纹波小
C.电流纹波不变
D.电流纹波增大

单项选择题IGBT的频率特性如何？（）

A.频率可以做很高
B.频率做不高
C.频率与MOSFET相当
D.频率与GTR相当

单项选择题IGBT适合应用于哪些直流电压的变流系统？（）

A.600V以下
B.600V及以上
C.1200V以下
D.1200V及以上

单项选择题对于N沟道MOSFET，多数载流子是什么？（）

A.电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子

单项选择题MOSFET中的“源极（Source）”是什么意思？（）

A.提供多数载流子的来源
B.提供少数载流子的来源
C.接受多数载流子的端点
D.接受少数载流子的端点

单项选择题功率场效应晶体管MOSFET的工作频率范围是多少？（）

A.10kHz以下
B.10kHz到100kHz
C.100kHz到1MHz
D.1MHz以上

单项选择题功率场效应晶体管MOSFET的显著特点是什么？（）

A.驱动电路复杂，驱动功率大
B.仅由多数载流子导电，无少子存储效应，高频特性好
C.工作频率低
D.输出电流小

单项选择题功率场效应晶体管MOSFET是一种什么类型的晶体管？（）

A.电流控制型
B.电压控制型
C.电阻控制型
D.电容控制型

单项选择题晶闸管是以硅单晶为基本材料的四层三端器件，由四层半导体材料组成，以下哪种电力电子器件不属于晶闸管？（）

A.单向晶闸管
B.双向晶闸管
C.可关断晶闸管
D.IGBT