PN结型的光电传感器有光电二级管、光电晶体管光电晶闸管等。

问答题已知CdS光敏电阻的最大功耗为40mW，光电导灵敏度Sg=0.5×10-6S lx暗电导g0=0，若给其加偏置电压20V，此时入射到光敏电阻上的极限照度为多少？

问答题光敏电阻R与RL=20kΩ的负载电阻串联后接于Ub=12V的直流电源上，无光照时负载上的输出电压为U1=20mV，有光照时负载上的输出电压为U2=2V，求 ①光敏电阻的暗电阻和亮电阻值； ②若光敏电阻的光电导灵敏度Sg=6×10-6S lx，求光敏电阻所受的照度。

问答题已知硅光电池2CR32的受光面积为5×10mm2，在室温30℃，人射光照度为1000W m2的条件下，UOC=0.55V，ISC=12×10-3A。求能在200～700W m2照度范围内，求： ⑴取得最大线性输出电压下最佳负载RL。 ⑵输出电压ΔU。 ⑶输出电流ΔI。

问答题已知硅光电二极管2DU2的灵敏度Si=0.55μA μW，结间漏置电导G=0.02μS，转折点电压UM=13V，入射光功率从Φmin=15μW变到Φmax=35μW，供电偏电压为Ub=55V。求： （1）取得最大线性输出电压下最佳负载RL。 （2）输出电压ΔU。 （3）输出电流ΔI。

问答题一块半导体样品，有光照时电阻为50Ω，无光照时为5000Ω，求样品的光电导。