计算题

已知硅光电二极管2DU2的灵敏度S_i=0.55μA/μW，结间漏置电导G=0.02μS，转折点电压U_M=13V，入射光功率从Φ_min=15μW变到Φ_max=35μW，供电偏电压为U_b=55V。求：
（1）取得最大线性输出电压下最佳负载R_L。
（2）输出电压ΔU。
（3）输出电流ΔI。

问答题一块半导体样品，有光照时电阻为50Ω，无光照时为5000Ω，求样品的光电导。

问答题可见光的波长、频率和光子的能量范围（给出计算公式）各是多少？

问答题现有GDB-423光电倍增管的阴极有效面积为2cm2，阴极灵敏度为25μA lm，倍增系统的放大倍数105，阳极额定电流为20μA，求允许的最大照度。

问答题某种光电材料的逸出功为1Ev，试计算该材料的红限波长。

问答题本征半导体材料Ge在297K下其禁带宽度E=0.67（eV），现将其掺入杂质Hg，锗掺入汞后其成为电离能Ei=0.09（eV）的非本征半导体。试计算本征半导体Ge和非本征半导体锗汞所制成的光电导探测器的截止波长。