简答题 简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。

【参考答案】

三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。
（1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。
（2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底......

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