下面是一张掩模ROM的结构图，从其中单元0读出的数据D3-D0是（）……

单项选择题用户只能进行一次编程操作的只读存储器是（）

A.掩模式只读存储器MROM
B.可编程只读存储器PROM
C.可编程的只读存储器EPROM
D.电可擦除可编程ROM

单项选择题用户不能进行编程操作的只读存储器是（）

A.掩模式只读存储器MROM
B.可编程只读存储器PROM
C.可编程的只读存储器EPROM
D.电可擦除可编程ROM

单项选择题以下ROM中，允许用户编程操作次数最多是（）

A.掩模式只读存储器MROM
B.可编程只读存储器PROM
C.可编程的只读存储器EPROM
D.电可擦除可编程ROM

单项选择题动态RAM存储单元的刷新操作指的是（）

A.向存储单元写入一个新数据
B.读存储单元的同时，并将读出的值写回
C.读存储单元
D.定时读存储单元，并将读出的值写回

单项选择题从下图表示的DRAM的写操作时序可以看出，分割行地址和列地址的信号是（）

A./RAS
B./CAS
C./CE
D./WE