用户不能进行编程操作的只读存储器是（）

单项选择题以下ROM中，允许用户编程操作次数最多是（）

A.掩模式只读存储器MROM
B.可编程只读存储器PROM
C.可编程的只读存储器EPROM
D.电可擦除可编程ROM

单项选择题动态RAM存储单元的刷新操作指的是（）

A.向存储单元写入一个新数据
B.读存储单元的同时，并将读出的值写回
C.读存储单元
D.定时读存储单元，并将读出的值写回

单项选择题从下图表示的DRAM的写操作时序可以看出，分割行地址和列地址的信号是（）

A./RAS
B./CAS
C./CE
D./WE

单项选择题对一个静态存储单元，说法不正确的是（）

A.行线和列线同时选中时，存储单元有1位数据输出
B.存储单元既有正相数据输出，也有反相数据输出
C.存储单元只有正相数据输出
D.向存储单元写入数据时，既要提供正相数据，也要提供反相数据

单项选择题组成一位静态存储单元，需要MOS管的数量是（）

A.4个
B.6个
C.8个
D.10个