在光线作用下光电子逸出物体表面现象叫（）效应，利用该现象制成的元件有（）；在光线作用下使材料内部电阻率改变现象叫（）效应。

填空题测量系统的静态特性指标主要有（）等；其中产生漂移的主要原因有（）。

填空题在电阻应变片公式，dR R=（1+2μ）ε+λEε中，在电阻应变片公式，dR R=（1+2μ）ε+λEε中，λ代表（），E代表（）。

填空题热敏电阻一般可分为（）三种类型。

填空题交流电桥各桥臂的复阻抗分别为Z1，Z2，Z3，Z4，各阻抗的相位角分别为1234，若电桥平衡条件为Z1 Z4=Z2 Z3，那么相位平衡条件应为（）。

填空题傅里叶级数通常有（）和（）两种展开形式。

单项选择题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）

A.金属应变片主要利用压阻效应
B.金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化
C.半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化
D.半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。

单项选择题函数y（t）=e-3t，则其拉氏变换Y（s）为（）

A.s/3
B.3s
C.1/（s+3）
D.3/s

单项选择题对金属应变片的测量电路非线性误差描述不正确的是（）

A.采用差动电桥可以减小或消除非线性误差
B.相对误差与桥臂比成正比关系
C.恒流源电桥比恒压源电桥的非线性误差小
D.提高桥臂比、并适当提高供桥电压，可以减小非线性误差

单项选择题电涡流传感器描述不正确的是（）

A.即可进行接触测量又可实现非接触测量
B.可进行以位移为基本量的机械参数测量
C.可进行以被测体的电导率为基本量的物理性质参测量
D.不能进行温度的测量

单项选择题不属于传感器动态特性时域指标的是（）

A.超调量
B.响应时间
C.带宽
D.时间常数

单项选择题为何霍尔元件都比较薄，而且长宽比一般为2：1，（）。

A.制作成本低
B.稳定性好
C.元件越薄，灵敏度系数越大

单项选择题相对金属应变片，半导体应变片具有（）等优点。

A.灵敏度高
B.温度稳定性好
C.可靠性高
D.接口电路复杂

单项选择题（）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量。

A.金属辐射式
B.热电偶
C.半导体9015三极管
D.比色计

单项选择题半导体热敏电阻率随着温度上升，电阻率（）

A.上升
B.迅速下降
C.保持不变
D.归零

单项选择题二阶惯性测试系统描述不正确的是（）

A.系统频率好坏主要取决于系统的固有频率和阻尼比
B.设计系统时，一般使阻尼比<1
C.二阶系统的伯德图可用折线来近似。在ω<0.5ω_n段，A（ω）可用0dB水平线近似。在ω>2ω_n段，可用斜率为-20dB/10倍频直线来近似
D.在ω靠近ω_n区间，φ（ω）随频率变化而剧烈变化，而且阻尼比ζ越小，这种变化越剧烈。