填空题在光线作用下光电子逸出物体表面现象叫()效应,利用该现象制成的元件有();在光线作用下使材料内部电阻率改变现象叫()效应。
填空题测量系统的静态特性指标主要有()等;其中产生漂移的主要原因有()。
填空题在电阻应变片公式,dR R=(1+2μ)ε+λEε中,在电阻应变片公式,dR R=(1+2μ)ε+λEε中,λ代表(),E代表()。
填空题热敏电阻一般可分为()三种类型。
填空题交流电桥各桥臂的复阻抗分别为Z1,Z2,Z3,Z4,各阻抗的相位角分别为1234,若电桥平衡条件为Z1 Z4=Z2 Z3,那么相位平衡条件应为()。
填空题傅里叶级数通常有()和()两种展开形式。
单项选择题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()
A.金属应变片主要利用压阻效应 B.金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化 C.半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化 D.半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。
单项选择题函数y(t)=e-3t,则其拉氏变换Y(s)为()
A.s/3 B.3s C.1/(s+3) D.3/s
单项选择题对金属应变片的测量电路非线性误差描述不正确的是()
A.采用差动电桥可以减小或消除非线性误差 B.相对误差与桥臂比成正比关系 C.恒流源电桥比恒压源电桥的非线性误差小 D.提高桥臂比、并适当提高供桥电压,可以减小非线性误差
单项选择题电涡流传感器描述不正确的是()
A.即可进行接触测量又可实现非接触测量 B.可进行以位移为基本量的机械参数测量 C.可进行以被测体的电导率为基本量的物理性质参测量 D.不能进行温度的测量
单项选择题不属于传感器动态特性时域指标的是()
A.超调量 B.响应时间 C.带宽 D.时间常数
单项选择题为何霍尔元件都比较薄,而且长宽比一般为2:1,()。
A.制作成本低 B.稳定性好 C.元件越薄,灵敏度系数越大
单项选择题相对金属应变片,半导体应变片具有()等优点。
A.灵敏度高 B.温度稳定性好 C.可靠性高 D.接口电路复杂
单项选择题()传感器可用于医疗上-50℃~150℃之间的温度测量。
A.金属辐射式 B.热电偶 C.半导体9015三极管 D.比色计
单项选择题半导体热敏电阻率随着温度上升,电阻率()
A.上升 B.迅速下降 C.保持不变 D.归零