A.掺杂浓度B.温度C.禁带宽度D.种类反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的（）。……

多项选择题​PN结的内建电势Vbi与（）有关。

A.外加电压
B.掺杂浓度
C.材料种类
D.温度

多项选择题‍P型区和N型区的交界面称为（）。

A.表面
B.冶金结面
C.结面
D.端面

单项选择题共射极接法的双极型晶体管发生雪崩击穿的条件是（）。

A.M→∞
B.M→α
C.M→1/α
D.M→1

单项选择题在同一个双极型晶体管中，三种集电极电流ICBO、ICS和ICEO的大小关系为（）。

A.I_CBO＞I_CS＞I_CEO
B.I_CBO＞I_CEO＞I_CS
C.I_CBO＜I_CEO＜I_CS
D.I_CBO＜I_CS＜I_CEO

单项选择题为了避免陷落效应，晶体管的发射区多采用（）扩散来代替磷扩散。

A.铟
B.硼
C.镓
D.砷