填空题从熔体中生长单晶所用（）法和（）法，是当前生产硅单晶的主要方法。
填空题为了促进生长界面稳定，可采用下列办法。系用较大的（），较慢的（）和较小的（）。
填空题晶体生长实验证明，导致界面不稳定原因主要由（）、（）、（）因素引起的。
填空题在控制单晶生长体系，界面未受任何干扰的情况下，界面（）运动。
填空题晶体生长过程中，移动的生长界面将不可避免地出现干扰，（）理论把微干扰在生长界面重迭行为考虑在内，界面出现任何周期干扰都可以用正弦函数的富氏级数表示。
